SiC-QMETインバーター

　安川電機は1月18日、電気自動車（EV）用モータードライブ「QMETドライブ」にSiC（シリコンカーバイド）を採用した「SiC-QMET」を開発したと発表した。

　新開発のSiC-QMETでは、ロームが新規開発したSiC-トレンチMOSFETとSiC-SBD（ショットキーバリアダイオード）を採用。安川電機独自の電子式巻線切替技術を搭載した「QMETドライブ」をベースとし、従来の電子式巻線切替で用いていたモータ内蔵のシリコン製IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）とダイオードをSiCに置き換えると同時に、SiCの高温動作特性を活かし、モーターの冷却構造の簡素化、小型化とともに、さらなる高効率化を実現したと言う。

　また、モーター駆動用のインバーターの主回路もすべてSiC化し、小型化・高効率化を実現している。モーターの電子式巻線切替部の体積およびインバーターの体積は従来の1/2以下、変換効率は2％向上した。

　このSiC-QMETは、1月19日～21日まで東京ビッグサイトで開催される「第2回 EV・HEV駆動システム技術展（EV JAPAN）」安川電機ブースに展示される。