ルネサス、xEV向けゲートドライバICの新製品「RAJ2930004AGM」開発 1200V耐圧のパワーデバイスにも使用可能に

　ルネサス エレクトロニクスは1月25日、xEV（電動車）向けにゲートドライバICの新製品「RAJ2930004AGM」を開発したと発表した。同社が開発したゲートドライバICは、バッテリEVをはじめとするxEVのインバータに搭載するIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）やSiC（炭化ケイ素）MOSFETを駆動するためので、新製品は1200V耐圧のパワーデバイスにも使用できるようになった。

　新製品は、同日よりサンプル出荷を開始し、量産は2024年第一四半期の予定。ルネサスでは、新製品とマイコンやIGBT、パワーマネジメントIC等を組み合わせたxEV インバータキットソリューションを開発してきており、新製品を組み込んだキットを2023年上期中にリリース予定としている。

　ゲートドライバICは、低電圧ドメインで動作するインバータ制御マイコンからの制御信号を受け、内蔵のアイソレータを介して、高電圧のパワー半導体を駆動する役割を果たす製品。

　新製品は、xEVバッテリの高電圧化に対応すべく、絶縁耐圧を従来品の2.5kVrmsから3.75kVrmsまで強化したことにより、1200V耐圧のパワーデバイスにも使用できるようになった。また、通信の安定性やノイズ耐性の指標となるCMTI（コモンモード過渡耐圧）は、150V/ns（ナノ秒）以上を実現したことにより、より高い電圧や、より高速なスイッチングが求められるインバータシステムにおいても、安定した通信性能を維持できるとしている。

　新製品は、ゲートドライバとしての基本機能を、小型のSOIC16パッケージに搭載したことにより、コスト効率のよいインバータシステムの実現が可能。また、ルネサス製IGBTとの組み合わせのほか、他社製IGBTやSiC製品と組み合わせても使用でき、トラクションインバータだけでなく、オンボードチャージャやDC/DCコンバータ等のパワー半導体を駆動する他のアプリケーションにも幅広く使用できるとしている。

　ルネサスの車載アナログアプリケーションスペシフィック事業部、事業部長の大道昭氏は「ルネサスが車載用ゲートドライバICの第二世代品として、高耐圧かつ高CMTIの新製品を提供できることを嬉しく思います。今後は、パワーロスの削減やお客様のシステムにおける機能安全の実現に貢献できる製品を拡充していくことにより、xEV向けアプリケーション開発を強力に支援してまいります」とコメントしている。

　なお、新製品については、1月25日から東京ビッグサイトで開催されるカーエレクトロニクス技術展のルネサスブース（東5ホール、ブースNo.43-52）に出展される。

新ゲートドライバIC「RAJ2930004AGM」の主な特長